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2SC3646T-TD-E	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：358.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3646T-TD-E	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 文件：358.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3646T-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 1A PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3646	文件：457.35 Kbytes Page：7 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：457.35 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3646	文件：113.47 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：113.47 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3646	文件：511.22 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Switching Applications Features ● Adoption of FBET, MBIT Processes ● High Breakdown Voltage and Large Current Capacity ● Fast Switching Time 文件：511.22 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

产品属性

产品编号：
2SC3646T-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 40mA，400mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS NPN 100V 1A PCP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3646T-TD-E供应商更新时间2025-10-6 8:11:00

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