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2SC3649T-TD-E

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

文件:354.15 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649T-TD-E

Bipolar Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

2SC3649T-TD-E

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 160V 1.5A PCP

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649T-TD-H

Bipolar Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

2SC3649T-TD-H

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

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ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    2SC3649T-TD-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    450mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    120MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    PCP

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 1.5A PCP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-89-3
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SOT-89
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ON/安森美
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SOT-89
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ON/安森美
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SOT-89
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SOT-89-3
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更多2SC3649T-TD-E供应商 更新时间2025-12-10 23:01:00