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2SC3649T-TD-H分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC3649T-TD-H |
| 参数属性 | 2SC3649T-TD-H 封装/外壳为TO-243AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 160V 1.5A PCP |
| 功能描述 | Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 文件大小 |
354.15 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 17:10:00 |
| 人工找货 | 2SC3649T-TD-H价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC3649T-TD-H规格书详情
2SC3649T-TD-H属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体公司制造生产的2SC3649T-TD-H晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
• Adoption of FBET, MBIT processes
• High breakdown voltage and large current capacity
• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s
产品属性
更多- 产品编号：
2SC3649T-TD-H
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
450mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，5V
- 频率 - 跃迁：
120MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
PCP
- 描述：
TRANS NPN 160V 1.5A PCP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
SOT-89 |
63000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
SANYO/三洋 |
21+ |
SOT-89 |
33200 |
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询价 | ||
SOT-89 |
23+ |
NA |
15659 |
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Onsemi |
24+ |
SOT89 |
39500 |
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SOT-89 |
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SANYO |
24+ |
SOT-89 |
51300 |
新进库存/原装 |
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SANYO |
24+ |
SOT89 |
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SANYO/三洋 |
23+ |
SOT-89 |
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ONSEMI/安森美 |
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SOT-89 |
360000 |
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