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2SC3835

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Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose)

SiliconNPNTripleDiffusedPlanarTransistor(SwitchingTransistor) Application:Humidifier,DC-DCConverter,andGeneralPurpose

SankenSanken Electric Co Ltd.

三垦日本三垦

2SC3835

文件：122.31 Kbytes

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SWITCH NPN TRANSISTOR

SWITCHNPNTRANSISTOR APLLICATION *Humidifier,DC-DCconverterandgeneralpurpose.

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

2SC3835

文件：168.7 Kbytes

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Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·Switchingtransistor APPLICATIONS ·Forhumidifier,DC-DCconverterandgeneralpurposeapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SC3835

文件：305.97 Kbytes

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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=3A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ·GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ·Designedforuseinhumidifier,DC/DCconverterandgeneralpurposeapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SC3835

文件：122.86 Kbytes

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Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=3A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ·GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ·Designedforuseinhumidifier,DC/DCconverterandgeneralpurposeapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

2SC3835

文件：803.94 Kbytes

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70 Watt NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=3A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) •GoodLinearityofhFE •Humidifier,DC-DCconverterandgeneralpurpose.

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

2SC3835

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Silicon NPN transistor in a TO-3P Plastic Package.

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-3PPlasticPackage. Features Highvoltage. Applications Humidifier,DC-DCconverter,andgeneralpurpose.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

2SC3835

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70 Watt NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

2SC3835

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Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SC3835

文件：34.29 Kbytes

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Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

SankenSanken Electric Co Ltd.

三垦日本三垦

2SC3835

文件：122.86 Kbytes

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Silicon NPN Power Transistor

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

2SC3835

文件：100 bytes

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包装：管件 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 120V 7A TO3P

SankenSanken Electric Co Ltd.

三垦日本三垦

2SC3835G

文件：298.73 Kbytes

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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=3A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ·GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ·Designedforuseinhumidifier,DC/DCconverterandgeneralpurposeapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SC3835Y

文件：204.41 Kbytes

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Silicon NPN Switching Ttransistors

DESCRIPTION TheisanepitaxialpianartypeNPNsilicontransistor

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

2SC3835_07

文件：33.82 Kbytes

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Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

SankenSanken Electric Co Ltd.

三垦日本三垦

2SC3835_15

文件：122.86 Kbytes

Page：3 Pages

Silicon NPN Power Transistor

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

2SC3835_17

文件：887.03 Kbytes

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70 Watt NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

2SC3835_2014

文件：122.86 Kbytes

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Silicon NPN Power Transistor

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

晶体管资料

  • 型号：

    2SC3835

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    开关管 （S）_电源用 （Reg）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    200V

  • 最大电流允许值：

    7A

  • 最大工作频率：

    30MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    TIP55A,TIP56A,TIP57A,TIP58A,2SC2305,2SC2486,2SC2656,

  • 最大耗散功率：

    70W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    B-48

  • vtest：

    200

  • htest：

    30000000

  • atest：

    7

  • wtest：

    70

产品属性

  • 产品编号：

    2SC3835

  • 制造商：

    Sanken

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    管件

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    500mV @ 300mA，3A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100µA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    70 @ 3A，4V

  • 频率 - 跃迁：

    30MHz

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供应商器件封装：

    TO-3P

  • 描述：

    TRANS NPN 120V 7A TO3P

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市正纳电子有限公司
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