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2SC3357E	文件：575.86 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis10dB@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.7dB@VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz fT(TYP.):TYP.Valueis6.5GHz@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3357	文件：77.51 Kbytes Page：8 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORPOWERMINIMOLD DESCRIPTION The2SC3357isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.Ithaslargedynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz N	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC3357	文件：54.51 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconRFTransistor Features ●LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=7.5dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz NF=1.8dBTYP.,Ga=9.0dBTYP.@VCE=10V,IC=40mA,f=1.0GHz ●Highpowergain:MAG=10dBTYP.@IC=40mA,f=1GHz	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3357	文件：321.31 Kbytes Page：6 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz NF=1.8dBTYP.,Ga=9.0dBTYP. @VCE=10V,IC=40mA,f=1.0GHz APPLICATIONS •DesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC3357	文件：665.14 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistors ■Features ●Lownoiseandhighgain ●Highpowergain ●LargePtot	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SC3357	文件：218.19 Kbytes Page：10 Pages	NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION3-PINPOWERMINIMOLD FEATURES •Lownoiseandhighgain NF=1.1dBTYP.,Ga=7.5dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF=1.8dBTYP.,Ga=9.0dBTYP.@VCE=10V,IC=40mA,f=1GHz •Highpowergain:MAG=10dBTYP.@IC=40mA,f=1GHz •LargePtot:Ptot=1.2W(Mountedon16cm2×	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3357	文件：575.86 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis10dB@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.7dB@VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz fT(TYP.):TYP.Valueis6.5GHz@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3357	文件：748.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Lownoiseandhighgain,largePCinsmallpackage. Applications lownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVbandapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC3357	文件：1.71568 Mbytes Page：5 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors Features Lownoiseandhighgain Highpowergain LargePtot Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC3357A	文件：575.86 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis10dB@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.7dB@VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz fT(TYP.):TYP.Valueis6.5GHz@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3357-A	文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages	NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION	CEL California Eastern Laboratories	CEL
2SC3357-A	文件：137.58 Kbytes Page：2 Pages	RF&Microwavedevice	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3357B	文件：575.86 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis10dB@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.7dB@VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz fT(TYP.):TYP.Valueis6.5GHz@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3357C	文件：575.86 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis10dB@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.7dB@VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz fT(TYP.):TYP.Valueis6.5GHz@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3357D	文件：575.86 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis10dB@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.7dB@VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz fT(TYP.):TYP.Valueis6.5GHz@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3357-F	文件：665.14 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistors ■Features ●Lownoiseandhighgain ●Highpowergain ●LargePtot	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SC3357-F-HF	文件：992.93 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●Lownoiseandhighgain ●Highpowergain ●LargePtot ●Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesaPb−FreeLeadFinish	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3357-HF	文件：992.93 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●Lownoiseandhighgain ●Highpowergain ●LargePtot ●Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesaPb−FreeLeadFinish	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3357-H-HF	文件：992.93 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●Lownoiseandhighgain ●Highpowergain ●LargePtot ●Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesaPb−FreeLeadFinish	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
L2SC3357	文件：309.96 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

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艾睿国际（香港）有限公司	2SC3357-E	KEXIN(科信)	2112+	SOT-89	105000	1000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
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更多2SC3357E供应商更新时间2024-5-20 15:02:00

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