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2SB1386-P	文件：1.51198 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1386-P	文件：430.6 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SB1386PPT	文件：389.69 Kbytes Page：3 Pages	PNPEpitaxialTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT5Amperes FEATURE Smallflatpackage.(DPAK) LowsaturationvoltageVCE(sat)=-0.35V(Typ.)(IC/IB=-4A/-0.1A) Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION PowerdriverandStrobeFlash.	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2SB1386PT	文件：159.95 Kbytes Page：3 Pages	PNPEpitaxialTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT5Amperes FEATURE Smallflatpackage.(SC-62/SOT-89) LowsaturationvoltageVCE(sat)=-0.35V(Typ.)(IC/IB=-4A/-0.1A) PC=2.0W(mountedonceramicsubstrate). Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION *PowerdriverandStrobeFlash	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2SB1386-Q	文件：376.17 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurrent-to-gaincharacteristics •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
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2SB1386-Q	文件：786.02 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SB1386-R	文件：786.02 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
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