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2SB1386-R	文件：376.17 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features • Low Collector Saturation Voltage • Execllent current-to-gain characteristics • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon 文件：376.17 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SB1386-R	文件：786.02 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BHR*；Package：SOT-89；PNP Transistors Features ● Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC/IB = -4A / -0.1A) ● Excellent DC current gain ● Epitaxial planar type ● PNP silicon transistor 文件：786.02 Kbytes 页数：4 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SB1386-R	文件：430.6 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors 文件：430.6 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SB1386-R	文件：1.51198 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.51198 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1386-R-AB3-B-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1386-R-AB3-C-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1386-R-AB3-E-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1386-R	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC

技术参数

Product Polarity：
PNP
SMD/ThroHole：
SMD
VCEO (V)：
-20
VCBO (V)：
-30
VEBO (V)：
-6.0
IC (A)：
-5.0
PC (W)：
0.5
HFE：
180-390
@IC (mA)：
-500
@VCE (V)：
-2.0
ICBO：
-0.5 µA
IEBO：
-0.5 µA
VCE(sat) (V)：
-1.0
VBE(sat) (V)：
FT (MHz)：
120
Package Qty：
Tape
FIT：
48; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1386-R供应商更新时间2025-10-10 10:04:00

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