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2SC3632	文件：290.54 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：290.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3632	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Power Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.\n\nThe 2SC3632-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. • High Voltage VCEO = 600 V\n• High Speed tf < 0.5 μs\n• Complement to 2SA1413-Z;	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC3632-AZ	文件：895.35 Kbytes Page：7 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3632-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High Voltage VCEO= 600 V • High Speed tf 文件：895.35 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3632Z	文件：270.69 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION The 2SC3632-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High Voltage VCEO= 600 V • High Speed tf 文件：270.69 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3632-Z	文件：895.35 Kbytes Page：7 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3632-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High Voltage VCEO= 600 V • High Speed tf 文件：895.35 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3632-Z	文件：301.3 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • With TO-252(DPAK) packaging • High collector-emitter voltage • Low collector saturation voltage • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • High voltage switching. 文件：301.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3632-Z	文件：40.37 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High voltage ● High speed ● Complementary to 2SA1413-Z 文件：40.37 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3632-Z	文件：270.65 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION The 2SC3632-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High Voltage VCEO= 600 V • High Speed tf 文件：270.65 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3632-Z_15	文件：1.36833 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：1.36833 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3632-Z_15	文件：895.35 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：895.35 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SC3632(Z)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
600V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3363,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
600
htest：
30000000
atest：
1
wtest：
10

技术参数

Vcbo (V)：
600
VCEO (V)：
600
Vebo (V)：
7
IC @25 °C (A)：
1
VCE (sat) (V)：
1
hFE：
30-120
Pc (W)：
10
fT (Typical) (GHz)：
0.03
Cob (Typical) (pF)：
14

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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