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2SC3807	文件：84.53 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications????????? High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features · Large current capacity (IC=2A). · Adoption of MBIT process. · High DC current gain (hFE=800 to 3200). · Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)≤0.5V). · High VEBO(VEBO≥15V). Applications · Low frequency 文件：84.53 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3807	文件：177.33 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) 文件：177.33 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SC3807	文件：435.27 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. 文件：435.27 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC3807	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Semiteh	Semiteh
2SC3807	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
2SC3807	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3807C	文件：50.69 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 25V / 2A High-hFE, Low Frequency General-Purpose Amplifier Applications 25V / 2A High-hFE, Low Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications •Low-frequency general-purpose amplifiers, drivers. Features • Large current capacity (IC=2A). • Adoption of MBIT process. • High DC current gain (hFE=1000 to 2000). • Low collector-to-emi 文件：50.69 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3807MP	文件：49.55 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 25V / 2A High-hFE, Low Frequency General-Purpose Amplifier Applications 25V / 2A High-hFE, Low Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications • Low-frequency general-purpose amplifiers, drivers. Features • Large current capacity (IC=2A). • Adoption of MBIT process. • High DC current gain (hFE=1000 to 2000). • Low collector-to-emitter saturation v 文件：49.55 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

晶体管资料

型号：
2SC3807
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HI_BETA_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1273,
最大耗散功率：
放大倍数：
β>800
图片代号：
B-21
vtest：
30
htest：
999900
atest：
2
wtest：
0

技术参数

PCM(mW)：
1200
IC(mA)：
2000
BVCBO(V)：
30
BVCEO(V)：
25
BVEBO(V)：
15
Min：
800
Max：
3200
VCE(sat)(V)：
0.5
PACKAGE：
TO-126C

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