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2SC3585	文件：103.63 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：103.63 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3585	文件：1.16567 Mbytes Page：5 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER DESCRIPTION The NE68033 / 2SC3585 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. The NE68033 / 2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures. The NE68033 / 2SC3585 employs direct nitride passivated 文件：1.16567 Mbytes 页数：5 Pages	CEL	CEL
2SC3585	文件：321.52 Kbytes Page：10 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR DESCRIPTION The 2SC3585 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. The 2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures. The 2SC3585 employs direct nitride passivated base surface process (DNP proc 文件：321.52 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3585	文件：38.03 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features NF 1.8dB TYP. @f = 2.0 GHz Ga 9dB TYP.@f=2.0GHz 文件：38.03 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3585	文件：308.73 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise and High Gain 文件：308.73 Kbytes 页数：6 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3585	文件：300 bytes Page：1 Pages	高频三极管	MXTronics 时代民芯	MXTronics
2SC3585-T1B	文件：103.63 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：103.63 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3585_15	文件：321.52 Kbytes Page：10 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR 文件：321.52 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3585-T1B	文件：300 bytes Page：1 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR DESCRIPTION\nThe NE68033 / 2SC3585 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. The NE68033 / 2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures. The NE68033 / 2SC3585 employs direct nitride passivated ba • NF 1.8 dB TYP. @f = 2.0 GHz\n• Ga 9 dB TYP. @f = 2.0 GHz;	CEL	CEL
2SC3585-L	文件：300 bytes Page：1 Pages	For amplify microwave and low noise.	NEC 瑞萨	NEC

晶体管资料

型号：
2SC3585
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.035A
最大工作频率：
10GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3730,2SC3904,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
20
htest：
10000000000
atest：
0.035
wtest：
0

技术参数

VCEO(V)：
10
ICM(mA)：
35
PT(W)：
0.2
2(dB)：
12
NF(dB)：
1.2
GUM(dB)：
13
@Vce(V)：
5
@Ic(mA)：
10
@fT(GHz)：
0.9
Package：
SOT23
兼容型号：
2SC3585

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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