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2SC3585-L

For amplify microwave and low noise.

NEC

瑞萨

2SC3585

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR

DESCRIPTION The 2SC3585 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. The 2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures. The 2SC3585 employs direct nitride passivated base surface process (DNP proc

文件:321.52 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SC3585

Low Noise and High Gain

文件:308.73 Kbytes 页数:6 Pages

ISC

无锡固电

2SC3585

NPN Silicon Epitaxial Transistor

Features NF 1.8dB TYP. @f = 2.0 GHz Ga 9dB TYP.@f=2.0GHz

文件:38.03 Kbytes 页数:1 Pages

KEXIN

科信电子

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