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2SC3624	文件：222.43 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS MINI MOLD FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A) 文件：222.43 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3624	文件：351.5 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A) 文件：351.5 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3624	文件：351.5 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A) 文件：351.5 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3624	文件：37.29 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC current Gain: hFE = 1000 to 3200. ● Low VCE(sat): (VCE(sat) = 0.07 V TYP). 文件：37.29 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3624	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Bipolar Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC3624A	文件：351.5 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A) 文件：351.5 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3624A	文件：222.43 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS MINI MOLD FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A) 文件：222.43 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3624A-T1B	文件：222.43 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS MINI MOLD FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A) 文件：222.43 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3624-T1B	文件：222.43 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS MINI MOLD FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A) 文件：222.43 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3624A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Bipolar Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

VCEO (V)：
50
IC @25 °C (A)：
0.15
VCE (sat) (V)：
0.3
hFE：
1000-3200
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.25
Cob (Typical) (pF)：
3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3624供应商更新时间2025-11-24 16:07:00

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