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2SC3624-T1B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SC3624-T1B
厂商型号

2SC3624-T1B

参数属性

2SC3624-T1B 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 0.15A SC59

功能描述

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

222.43 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
NEC
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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2SC3624-T1B规格书详情

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS MINI MOLD

FEATURES

● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200

● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP.

● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A)

产品属性

  • 产品编号:

    2SC3624-T1B-A

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 1mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SC-59

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.15A SC59

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