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2SC3622	文件：300.67 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR Audio Frequency Amplifier,Switching NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW–FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHING FEATURES • High hFE: hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA • Low VCE(sat): VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA • High VEBO: VEBO: 12 V (2SC3622) VEBO: 15 V (2SC3622A) 文件：300.67 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3622	文件：238.57 Kbytes Page：8 Pages	SILICON TRANSISTORS NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW–FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHING FEATURES • High hFE: hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA • Low VCE(sat): VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA • High VEBO: VEBO: 12 V (2SC3622) VEBO: 15 V (2SC3622A) 文件：238.57 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3622	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC3622A	文件：300.67 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR Audio Frequency Amplifier,Switching NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW–FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHING FEATURES • High hFE: hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA • Low VCE(sat): VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA • High VEBO: VEBO: 12 V (2SC3622) VEBO: 15 V (2SC3622A) 文件：300.67 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3622A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SC3622(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HI_BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2S2320,2SC2878,2SC3069,2SC3331,2SC3836,2SD1010,
最大耗散功率：
放大倍数：
β=1800
图片代号：
A-20
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.15
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
50
hFE min.：
1000
hFE max.：
3200
Pc (W)：
0.25
Production Status：
EOL

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