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2SC3603	文件：89.68 Kbytes Page：8 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION The 2SC3603 is an NPN epitaxial transistor designed for lownoise amplification at 0.5 to 4.0 GHz. This transistor has low-noise and high-gain characteristics in a wide collector current region, and has a wide dynamic range. 文件：89.68 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3603	文件：214.51 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION The 2SC3603 is an NPN epitaxial transistor designed for lownoise amplification at 0.5 to 4.0 GHz. This transistor has low-noise and high-gain characteristics in a wide collector current region, and has a wide dynamic ran 文件：214.51 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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晶体管资料

型号：
2SC3603
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
7GHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
2SC3358,2SC3721,
最大耗散功率：
0.58W
放大倍数：
图片代号：
G-129
vtest：
20
htest：
7000000000
atest：
0.1
wtest：
0.58

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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