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2SC3666	文件：150.27 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO POWER APLIFIER APPLICATIONS) Audio Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE (1)= 100 to 320 • High power dissipation: PC= 1000 mW 文件：150.27 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3666	文件：120.38 Kbytes Page：3 Pages	Audio Power Amplifier Applications 文件：120.38 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3666	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) AUDIO POWER AMPLIFIER APPLICATIONS	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC3666_04	文件：120.38 Kbytes Page：3 Pages	Audio Power Amplifier Applications 文件：120.38 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC3666
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC337,BC338,BC635,BC637,BC369,2SC3243,2SD863,2SD973,2SD1225M,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
H-60
vtest：
30
htest：
150000000
atest：
1
wtest：
1

详细参数

型号：
2SC3666
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORNMP30V 1A 1WBCE

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