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2SC3669	文件：176.02 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) •High-speedswitching:tstg=1.0µs(typ.) •Complementaryto2SA1429	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3669	文件：119.55 Kbytes Page：3 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS POWERSWITCHINGAPPLICATIONS FEATURES Lowsaturationvoltage VCE(SAT)=0.5V(Max.) Highspeedswitchingtime:TSTG=1.0μs(Typ.)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3669	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3669	文件：123.48 Kbytes Page：3 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3669_04	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3669_15	文件：294.12 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3669_2	文件：123.48 Kbytes Page：3 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3669G-X-AA3-R	文件：294.12 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3669G-X-AB3-R	文件：294.12 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3669G-X-TM3-T	文件：294.12 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3669G-X-TN3-R	文件：294.12 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3669L-X-TM3-T	文件：294.12 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3669L-X-TN3-R	文件：294.12 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3669-Y(T2OMI,FM	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：SC-71 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 2A MSTM	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3669-Y,T2PASF(M	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：SC-71 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 2A MSTM	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

型号：
2SC3669
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
MPS651,2SC3328,2SC3669,2SC4145,2SD1665M,2SD2136,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
H-60
vtest：
80
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
1

详细参数

型号：
2SC3669
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Trans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin MSTM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3669供应商更新时间2024-4-26 9:52:00

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