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2SC3669	文件：176.02 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) • High-speed switching: tstg = 1.0 µs (typ.) • Complementary to 2SA1429 文件：176.02 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3669	文件：119.55 Kbytes Page：3 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage VCE(SAT)=0.5V (Max.) * High speed switching time: TSTG=1.0μs (Typ.) 文件：119.55 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC3669	文件：123.48 Kbytes Page：3 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS 文件：123.48 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC3669	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications 文件：140.72 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3669	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC3669	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor	UTC 友顺	UTC
2SC3669_04	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications 文件：140.72 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3669_15	文件：294.12 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS 文件：294.12 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC3669_2	文件：123.48 Kbytes Page：3 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS 文件：123.48 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC3669G-X-AA3-R	文件：294.12 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS 文件：294.12 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

晶体管资料

型号：
2SC3669
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
MPS651,2SC3328,2SC3669,2SC4145,2SD1665M,2SD2136,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
H-60
vtest：
80
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
1

技术参数

BVCEO(V)：
80
BVCBO(V)：
80
IC(A)：
2
HFE_MIN.：
70
HFE_MAX.：
240
HFEtest_IC(mA)：
500
HFEtest_VCE(V)：
2
VCE(Sat)(V)MAX.：
0.5
VCE(Sat)test_IC(mA)：
1000
VCE(Sat)test_Ib(mA)：
50
Package：
SOT-89_SOT-223_TO-251_TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘为电子有限公司	2SC3669	TOS	24+	原厂封装	5620	原装现货假一罚十	询价
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深圳博中泰实业有限公司	2SC3669	HSMC/华昕	25+	TO-251	20000	本公司只做全新原装正品	询价
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更多2SC3669供应商更新时间2026-10-19 13:31:00

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