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2SC3671	文件：155.96 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity :hFE=140to450(VCE=2V,IC=0.5A) :hFE=70(min)(VCE=2V,IC=4A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.0V(max)(IC=4A,IB=0.1A) •Hi	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
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NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity :hFE=140to450(VCE=2V,IC=0.5A) :hFE=70(min)(VCE=2V,IC=4A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.0V(max)(IC=4A,IB=0.1A) •Hi

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晶体管资料

型号：
2SC3671
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
STROBO FLASH
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4482,2SD1145,2SD1244,2SD1961,2SD1962,2SD1962M,2SD2179,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
H-60
vtest：
50
htest：
100000000
atest：
5
wtest：
1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3671供应商更新时间2024-4-28 12:05:00

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