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RENESASSOT-23

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RENESAS/瑞萨SOT-23

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TOSHIBATO-3P

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Renesas(瑞萨)原厂封装

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RENESAS/瑞萨SOT-23

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RENESASVQFN

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2SC3736-T1

NECSOT-89

33500

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2SC3735

NECSOT-23

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2SC3735-T1B

NECSOT-23

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2SC3734

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RENESASSOT23

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2SC3793

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RENESAS/瑞萨SOT-23

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2SC3706

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2SC3779D

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2SC3707制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-5910V .01A .05W EBC SURFACE MT

2SC370700L功能描述:TRANS NPN 7VCEO 10MA MINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

2SC3708S-AA制造商:SANYO 功能描述:mom 80V 0.5A 140 to 280 NP Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 80V 0.5A TO-92

2SC3709A-Y(F)功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 12A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SC3710A-Y(F)制造商:Toshiba 功能描述:NPN 80V 12A 120 to 240 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:POWER TRANSISTOR

2SC3711制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR MINI 60V .1A .2W ECB

2SC3713制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-5960V .1A .15W ECB SURFACE MT

2SC3717制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR MINI 30V .05A .2W ECB

晶体管资料

  • 型号：

    2SC37

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    射频/高频放大 （HF）_TR

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    40V

  • 最大电流允许值：

    0.1A

  • 最大工作频率：

    200MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BC337,BC377,BC635,BC737,BFW16,BFW17,BFX55,3DG130C,

  • 最大耗散功率：

    0.2W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    D-9

  • vtest：

    40

  • htest：

    200000000

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