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2SC3676	文件：84.39 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Amp, High-Voltage Switching Applications 900V/300mA High-Voltage Amplifier High-Voltage Switching Applications Features • High breakdown voltage (VCEO min=900V). • Small Cob (Cob typ=5.0pF). • Wide ASO (Adoption of MBIT process). • High reliability (Adoption of HVP process). Applications • High voltage amplifiers. • High-voltage 文件：84.39 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3676	文件：277.96 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：277.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3676	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 900V/300mA High-Voltage Amplifier High-Voltage Switching Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3734	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SC3807	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-126	SANYO 三洋上传：深圳市昌和盛利电子有限公司	SANYO

晶体管资料

型号：
2SC3676
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
DYNAMIC FOCUS
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1500V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
0.3
wtest：
20

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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