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2SC3650	文件：91.9 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications??????? High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • High DC current gain (hFE=800 to 3200). • Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)≤0.5V). • Large current capacity (IC=1.2V). • Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s 文件：91.9 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3650	文件：182.5 Kbytes Page：3 Pages	丝印：CF；Package：SOT-89；General-Purpose Amplifier Applications FEATURES ● High DC current gain. ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Large current capacity. ● Very small size making it easy to provide highDensity,small-sized hybrid IC′ s. APPLICATIONS LFamplifiers,various drivers,muting circuit 文件：182.5 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SC3650	文件：368.72 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Small Flat Package ● High DC Current Gain ● Low VCE(sat) ● Large Current Capacity APPLICATIONS ● LF Amplifiers, Various Drivers, Muting Circuit 文件：368.72 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SC3650	文件：1.55862 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Small Flat Package ● High DC Current Gain ● Low VCE(sat) ● Large Current Capacity APPLICATIONS ● LF Amplifiers, Various Drivers, Muting Circuit 文件：1.55862 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC3650	文件：50.69 Kbytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features ● High DC current gain (hFE=800 to 3200). ● Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat) ≤ 0.5V). ● Large current capacity (IC=1.2V). ● Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s. 文件：50.69 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3650	文件：220.48 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES • Small Flat Package. • Large Current Capacity. • High DC Current Gain • Low VCE(sat) APPLICATION LF Amplifiers, Various Drivers, Muting Circuit 文件：220.48 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC3650	文件：191.66 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • High DC current gain. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Large current capacity. • Very small size making it easy to provide high- Density,small-sized hybrid IC S 文件：191.66 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SC3650	文件：465.89 Kbytes Page：3 Pages	丝印：CF；Package：SOT-89；High hFE,Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications FEATURES High DC current gain. Low collector-to-emitter saturation voltage. Large current capacity. Very small size making it easy to provide high- Density,small-sized hybrid IC′s. APPLICATIONS LFamplifiers,various drivers,muting circuit 文件：465.89 Kbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC3650	文件：126.6 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.6 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SC3650	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极型晶体管	LGE 鲁光电子	LGE

晶体管资料

型号：
2SC3650
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_HI_UEB
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
1.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3444,2SD1950,2SD1280,2SD1614,
最大耗散功率：
放大倍数：
β=1500
图片代号：
H-100
vtest：
30
htest：
999900
atest：
1.2
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
1.2
VCBO(V)：
30
VCEO(V)：
25
VEBO(V)：
15
hFEMin：
800
hFEMax：
3200
hFE@VCE(V)：
5
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.01
Package：
SOT-89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3650供应商更新时间2026-10-21 16:30:00

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