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2SB1188	文件：128.24 Kbytes Page：5 Pages	Epitaxial Planar PNP Transistors EpitaxialPlanarPNPTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SB1188	文件：781.59 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1766. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB1188	文件：218.08 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES •LowVCE(sat). •Complementsthe2SD1766	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SB1188	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Mediumpowertransistor(−32V,−2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.5V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1188	文件：1.20419 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat). ●Complementsthe2SD1766	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB1188	文件：177.12 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor FEATURES ●LowVCE(SAT)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A). ●Complementarythe2SD1766. APPLICATIONS ●Epitaxialplanartype. ●PNPsilicontransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SB1188	文件：147 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat). FEATURES •LowVCE(sat). •Complementsthe2SD1766	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
2SB1188	文件：134.44 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SB1188	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Mediumpowertransistor(−32V,−2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.5V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1188	文件：531.59 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.2A) ●Complementsthe2SD1766 ●Weight:0.05g ●RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
2SB1188	文件：1.64063 Mbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat). ●Complementsthe2SD1766	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2SB1188	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	Medium power Transistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1188	文件：483.3 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor(-32V,-2A) FEATURES LowVCE(SAT)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A). Complementarythe2SD1766. APPLICATIONS Epitaxialplanartype. PNPsilicontransistor.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SB1188_09	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (-32V, -2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1188_V01	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	Medium power Transistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1188-E-AB3-R	文件：54.11 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1188isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. ■FEATURES Highcurrentoutputupto3A Lowsaturationvoltage	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1188L-E-AB3-R	文件：54.11 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1188isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. ■FEATURES Highcurrentoutputupto3A Lowsaturationvoltage	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1188L-P-AB3-R	文件：54.11 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1188isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. ■FEATURES Highcurrentoutputupto3A Lowsaturationvoltage	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1188L-Q-AB3-R	文件：54.11 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1188isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. ■FEATURES Highcurrentoutputupto3A Lowsaturationvoltage	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1188L-X-AB3-R	文件：54.11 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1188isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. ■FEATURES Highcurrentoutputupto3A Lowsaturationvoltage	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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详细参数

型号：
2SB118
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Silicon PNP epitaxial planar type darlington

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SB1180-Q(TX)	PANASONIC	05+	SOT252	18000		询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	2SB1181	ROHM	09+	TO252	5000	原装房间现货	询价
深圳好佳好科技有限公司	2SB1181	ROHM	360000	原厂原装	1305		询价
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更多2SB118供应商更新时间2024-5-21 16:30:00

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