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2SB1188T100P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Medium power transistor (−32V, −2A) Medium power transistor (−32V, −2A) 1) Low VCE(sat).\n VCE(sat) = −0.5V (Typ.)\n (IC/IB = −2A / −0.2A)\n2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862Structure\n Epitaxial planar type\n PNP silicon transistor;	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1188T100P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 2A MPT3	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1188T100Q	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (??2V, ??A) 文件：180.38 Kbytes 页数：4 Pages	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE
2SB1188T100Q	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Medium power transistor (−32V, −2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.5V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：180.38 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1188T100R	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Medium power transistor (−32V, −2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.5V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：180.38 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

产品属性

产品编号：
2SB1188T100P
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
82 @ 500mA，3V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
MPT3
描述：
TRANS PNP 32V 2A MPT3

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