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2SB1188T100Q

Medium power transistor (32V, 2A)

Medium power transistor (−32V, −2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.5V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor

文件:180.38 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SB1188T100Q

Medium power transistor (??2V, ??A)

文件:180.38 Kbytes 页数:4 Pages

Littelfuse

力特

2SB1188T100Q

Medium power transistor (32V, 2A)

Littelfuse

力特

2SB1188T100Q

Package:TO-243AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 32V 2A MPT3

ROHM

罗姆

产品属性

  • 产品编号:

    2SB1188T100Q

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    800mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    MPT3

  • 描述:

    TRANS PNP 32V 2A MPT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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