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2SB1188T100Q分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SB1188T100Q

参数属性

2SB1188T100Q 封装/外壳为TO-243AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 32V 2A MPT3

功能描述

Medium power transistor (32V, 2A)
TRANS PNP 32V 2A MPT3

封装外壳

TO-243AA

文件大小

180.38 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-20 10:31:00

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2SB1188T100Q规格书详情

2SB1188T100Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SB1188T100Q晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Medium power transistor (−32V, −2A)

特性 Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = −0.5V (Typ.)

(IC/IB = −2A / −0.2A)

2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862

Structure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SB1188T100Q

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    800mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    MPT3

  • 描述:

    TRANS PNP 32V 2A MPT3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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