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2SB1561T100Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor (−60V, −2A) 1) Low saturation voltage , typically VCE (sat)= −0.15V at IC/ IB= −1A / −50mA.\n2) Collector-emitter voltage = −60V\n3) Pc = 2W (on 40400.7mm ceramic board).\n4) Complements the 2SD2391.;	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1561T100Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 2A MPT3	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
2SB1691WL-TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOT23	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SB1709TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	Rohm SC-96	ROHM 罗姆上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ROHM
2SB624-T1B-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOT23	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

产品属性

产品编号：
2SB1561T100Q
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
MPT3
描述：
TRANS PNP 60V 2A MPT3

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更多2SB1561T100Q供应商更新时间2025-10-4 13:44:00

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