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2SB1691	文件：77.8 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier Features • Small size package: MPAK (SC–59A) • Large Maximum current: IC = –1 A • Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = –0.3 V max.(at IC/IB = –0.5 A/–0.05 A) • High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)) • Complementary pair wit 文件：77.8 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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2SB1691WL	文件：77.8 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier Features • Small size package: MPAK (SC–59A) • Large Maximum current: IC = –1 A • Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = –0.3 V max.(at IC/IB = –0.5 A/–0.05 A) • High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)) • Complementary pair wit 文件：77.8 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
2SB1691WL-TL
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Cut Tape
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
PNP PWR Transistor,50V,1A,MPAK
制造商：
Renesas
功能描述：
Trans GP BJT PNP 50V 1A 3-Pin MPAK T/R

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深圳市高捷芯城科技有限公司	2SB1691WL-TL-E	Renesas(瑞萨)	24+	标准封装	9048	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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