2SC3326-B,LF技术资料参数贸易商东芝-114ic电子网

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2SC3326-B,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 0.3A TO236	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3326	文件：895.19 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package 文件：895.19 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC3326	文件：512 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications 文件：512 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：177.97 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS) For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package 文件：177.97 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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更多2SC3326-B,LF供应商更新时间2025-10-7 10:04:00