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2SC3326	文件：177.97 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS) For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package 文件：177.97 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	For Muting and Switching Applications For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package 文件：228.04 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	For Muting and Switching Applications For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package 文件：228.04 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：583.63 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications  AEC-Q101 Qualified (Note1).  High emitter-base voltage: VEBO = 25 V  High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −4 mA)  Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB = 5 mA)  High DC current gain: hFE = 200 to 1200  Small package 文件：583.63 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：43.36 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ● High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min). ● High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = -2 V, IC = -4 mA). ● Low on resistance: RON = 1 Ω(typ.) (IB = 5 mA). ● High DC current gain: hFE = 200~1200. ● Small package. 文件：43.36 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3326	文件：895.19 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package 文件：895.19 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC3326	文件：512 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications 文件：512 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor for low frequency small-signal amplification Application Scope：Muting\nPolarity：NPN\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.3 A \nCollector-emitter voltage VCEO 20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC3326_V01	文件：583.63 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications  AEC-Q101 Qualified (Note1).  High emitter-base voltage: VEBO = 25 V  High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −4 mA)  Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB = 5 mA)  High DC current gain: hFE = 200 to 1200  Small package 文件：583.63 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326A	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	For Muting and Switching Applications For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package 文件：228.04 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
NPN
VCEO(Max)(V)：
20
IC(Max)(A)：
0.3
hFE(Min)：
200
hFE(Max)：
1200
VCE(sat)(Max)(V)：
0.1
fT(Typ.)(MHz)：
30
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-346 (S-Mini)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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