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2SC3325-Y,LF

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 0.5A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325

Silicon NPN Epitaxial

Features ● Excellent hFE linearity : hFE (2) = 25 (min) (VCE = 6 V, IC = 400 mA). ● High voltage: VCEO = 50 V (min). ● Small package.

文件:36.48 Kbytes 页数:1 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3325

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency Low Power Amplifier Applications

文件:302.18 Kbytes 页数:4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3325

NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY SOW POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)

Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications • Excellent hFElinearity : hFE (2)= 25 (min) (VCE= 6 V, IC= 400 mA) • High voltage: VCEO= 50 V (min) • Complementary to 2SA1313 • Small package

文件:138.43 Kbytes 页数:3 Pages

TOSHIBA

东芝

产品属性

  • 产品编号:

    2SC3325-Y,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 100mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    300MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    S-Mini

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.5A SMINI

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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