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2SB1203S-E

Bipolar Transistor

Features • Low collector-to-emitter saturation voltage • High current and high fT • Excellent linearity of hFE • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1203/2SD1803-applied sets smaller Applications • Relay drivers, high-speed inverters, converters, and ot

文件:389.87 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SB1203S-E

丝印:B1203;Package:TP;High-Current Switching Applications

文件:519.36 Kbytes 页数:10 Pages

SANYO

三洋

2SB1203S-E

Bipolar Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

2SB1203S-E

Bipolar Transistor 50V, (??5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA

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ONSEMI

安森美半导体

2SB1203S-E

Bipolar Transistor (-)50V, (-)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA

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ONSEMI

安森美半导体

2SB1203S-E

Package:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 50V 5A TP

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    2SB1203S-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    550mV @ 150mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

  • 供应商器件封装:

    TP

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 5A TP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SB1203S-E供应商 更新时间2025-12-24 9:53:00