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2SB1424T100Q	文件：72.21 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.2V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S. Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：72.21 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1424T100Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 3A MPT3	ROHM 罗姆	ROHM
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