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2SB1197	文件：678.77 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
2SB1197	文件：70.57 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SmallPackage •Mounting:anyposition •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SB1197	文件：445.18 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●Smallsurfacemountingtype. ●Corredtorpeakcurrent(Max.=1000mA). ●Suitableforhighpackingdensity. ●Lowvoltage(Max.=40v). ●Highsaturationcurrentcapability. ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATIONS ●Telephoneandprofessionalcommunicationequipment. ●	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
2SB1197	文件：431.28 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Planar Transistor FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)≦-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA) •IC=-0.8A •Complementsofthe2SD1781	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SB1197	文件：315.29 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司
2SB1197	文件：698.92 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Planar Transistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SB1197	文件：419.5 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
2SB1197	文件：1.32068 Mbytes Page：2 Pages	Telephone and professional communication equipment.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
2SB1197	文件：325.58 Kbytes Page：2 Pages	Low Frequency Transistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
2SB1197A	文件：239.95 Kbytes Page：5 Pages	PNP Low Vce(sat) Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.5V(max)@Ic/Ib=-2A/-200mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective. GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
2SB1197A_R1_00001	文件：239.95 Kbytes Page：5 Pages	PNP Low Vce(sat) Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.5V(max)@Ic/Ib=-2A/-200mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective. GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
2SB1197A_R2_00001	文件：239.95 Kbytes Page：5 Pages	PNP Low Vce(sat) Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.5V(max)@Ic/Ib=-2A/-200mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective. GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
2SB1197K	文件：292.41 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Transistors PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2SB1197K	文件：68.89 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:200mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-800mA Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited
2SB1197K	文件：39.09 Kbytes Page：1 Pages	Low Frequency Transistor Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SB1197K	文件：123.68 Kbytes Page：3 Pages	Low Frequency Transistor FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)≦-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA) •IC=-0.8A	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SB1197K	文件：93.36 Kbytes Page：3 Pages	Low Frequency Transistor(-32V, -0.8A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)≤0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mAͅ) 2)IC=-0.8A. 3)Complementsthe2SD1781K.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1197K	文件：665.7 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1781K. Applications Lowfrequencyamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SB1197K	文件：136.93 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:200mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-800mA Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
2SB1197K	文件：663.9 Kbytes Page：1 Pages	Low Frequency Transistor Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司

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晶体管资料

型号：
2SB1197K
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCW67,BCW68,2SA1621,2SB624,2SB779,2SB815,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
40
htest：
200000000
atest：
.8
wtest：
0

详细参数

型号：
2SB1197
制造商：
SECOS
制造商全称：
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
功能描述：
PNP Epitaxial Planar Transistor

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