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2SB1197	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP)	RM TECHNOLOGY 瑞美科	RM TECHNOLOGY
2SB1197	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP小信号三极管	CBI 创基电子	CBI
2SB1197A	文件：239.95 Kbytes Page：5 Pages	PNP Low Vce(sat) Transistor Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.5V(max)@Ic/Ib= -2A/-200mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free) 文件：239.95 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2SB1197A_R1_00001	文件：239.95 Kbytes Page：5 Pages	丝印：B97；Package：SOT-23；PNP Low Vce(sat) Transistor Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.5V(max)@Ic/Ib= -2A/-200mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free) 文件：239.95 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2SB1197A_R2_00001	文件：239.95 Kbytes Page：5 Pages	丝印：B97；Package：SOT-23；PNP Low Vce(sat) Transistor Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.5V(max)@Ic/Ib= -2A/-200mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free) 文件：239.95 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2SB1197K	文件：665.7 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features Low VCE(sat),complements the 2SD1781K. Applications Low frequency amplifier applications. 文件：665.7 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SB1197K	文件：68.89 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 200 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: -800 mA Collector-base voltage V(BR)CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：68.89 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SB1197K	文件：292.41 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Transistors PNP General Purpose Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：292.41 Kbytes 页数：3 Pages	WEITRON	WEITRON
2SB1197K	文件：93.36 Kbytes Page：3 Pages	丝印：T146；Package：SMT3；Low Frequency Transistor(-32V, -0.8A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) ≤ 0.5V (IC / IB= -0.5A / -50mAͅ) 2) IC = -0.8A. 3) Complements the 2SD1781K. 文件：93.36 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1197K	文件：39.09 Kbytes Page：1 Pages	Low Frequency Transistor Features ● Low VCE(sat).VCE(sat) ≤ -0.5V (IC / IB= -0.5A / -50mA). ● IC = -0.8A. ● PNP silicon transistor 文件：39.09 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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晶体管资料

型号：
2SB1197K
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCW67,BCW68,2SA1621,2SB624,2SB779,2SB815,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
40
htest：
200000000
atest：
0.8
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
0.2
IC(A)：
0.8
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
32
VEBO(V)：
5
hFEMin：
82
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
3
hFE@IC(A)：
0.1
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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