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2SB1184TLR

Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.5V (Typ.)(IC/IB = -2A / -0.2A), Complements the 2SD1760 / 2SD1864.

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC/IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864. Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor

文件:172.5 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SB1184TLR

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 50V 3A CPT3

ROHM

罗姆

2SB1184

Power Transistor (−60V, −3A)

文件:95.47 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SB1184

Power Transistor (-60V, -3A)

文件:244.61 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SB1184

Power Transistor (-60V, -3A)

文件:172.5 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

产品属性

  • 产品编号:

    2SB1184TLR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    70MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 3A CPT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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