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2SB1184TLR

Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.5V (Typ.)(IC/IB = -2A / -0.2A), Complements the 2SD1760 / 2SD1864.

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1760/2SD1864. Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

2SB1184TLR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 50V 3A CPT3

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

2SB1184

PowerTransistor(-60V,-3A)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

2SB1184

PowerTransistor(−60V,−3A)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

2SB1184

PowerTransistor(-60V,-3A)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

2SB1184

Powertransistor

Features ●LowVCE(sat). ●PNPsilicontransistor. ●Epitaxialplanartype

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

2SB1184

PNPPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS

Features: *LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.2A)

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

2SB1184

PowerTransistor(-60V,-3A)

●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1760/2SD1864/2SD1762. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

2SB1184

PowerTransistor(-60V,-3A)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

2SB1184

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •LowVCE(sat) •Smallandslimpackage •Complementsthe2SD1760/2SD1864 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Powerdissipation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SB1184

TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

2SB1184

PNPPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

2SB1184

SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

2SB1184

PowerTransistor(-60V,-3A)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

2SB1184-P

PNPPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

2SB1184-P

PNPSiliconEpitaxialTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

2SB1184-P

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurre

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

2SB1184-Q

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurre

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

2SB1184-Q

PNPSiliconEpitaxialTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

2SB1184-Q

PNPPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

产品属性

  • 产品编号:

    2SB1184TLR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    70MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 3A CPT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
2019+全新原装正品
TO252
8950
BOM配单专家,发货快,价格低
询价
ROHM
21+
TO-252
7500
全新原装 鄙视假货15118075546
询价
ROHM/罗姆
21+
TO252
9800
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
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ROHM(罗姆)
22+
SC-63
576
QQ询价 绝对原装正品
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ROHM
21+
TO252
6000
询价
ROHM/罗姆
22+
TO-252
2500
进口原装假一赔十可开增值票
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ROHM
22+
13628
华南区总代
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ROHM/罗姆
14+
TO252
2150
只做原装/假一赔百
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ROHM/罗姆
21+
CPT-3
7500
全新原装现货
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ROHM
TO252
1590
原装长期供货!
询价
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