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2SB1202T-TL-E	文件：100.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor BipolarTransistor (–)50V,(–)3A,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •LargecurrentcapacitanceandwideASO •Lowcollectortoemittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1202/2SD1	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1202T-TL-E	文件：100.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)3A,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •LargecurrentcapacitanceandwideASO •Lowcollectortoemittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1202/2SD1	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1202T-TL-E	文件：215.03 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1202T-TL-E	文件：500 Kbytes Page：10 Pages	High-Current Switching Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1202T-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 3A TPFA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1202T-TL-ETP-FA	文件：500 Kbytes Page：10 Pages	High-Current Switching Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1202	文件：128.6 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentSwitchingApplications High-CurrentSwitchingApplications Applications ·Voltageregulators,relaydrivers,lampdrivers,electricalequipment. Features ·AdoptionofFBET,MBITprocesses. ·LargecurrrentcapacityandwideASO. ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ·Fastswitchingspeed. ·Smalland	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1202	文件：109.91 Kbytes Page：5 Pages	HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION DESCRIPTION TheUTC2SB1202appliestovoltageregulators,relaydrivers,lampdrivers,andelectricalequipment. FEATURES AdoptionofFBET,MBITprocesses LargecurrentcapacityandwideASO Lowcollector-to-emittersaturationvoltage Fastswitchingspeed	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1202	文件：266.83 Kbytes Page：5 Pages	HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1202	文件：100.82 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)3A,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleTP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)3A,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •LargecurrentcapacitanceandwideASO •Lowcollectortoemittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1202/2SD1	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1202	文件：432.87 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●AdoptionofFBET,MBITProcesses ●LargeCurrentCapacityandWideASO ●LowCollector-to-EmitterSaturationVoltage ●FastSwitchingSpeed	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB1202	文件：858.33 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●Fastswitchingspeed. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Complementaryto2SD1802	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1202	文件：215.03 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1202	文件：330.38 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •LargecurrentcapacitanceandwideASO •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1202/2SD1802-usedsetsmaller •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performance	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1202	文件：500 Kbytes Page：10 Pages	High-CurrentSwitchingApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1202-R	文件：858.33 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●Fastswitchingspeed. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Complementaryto2SD1802	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1202-S	文件：858.33 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●Fastswitchingspeed. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Complementaryto2SD1802	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1202S-E	文件：100.82 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor BipolarTransistor (–)50V,(–)3A,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •LargecurrentcapacitanceandwideASO •Lowcollectortoemittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1202/2SD1	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1202S-E	文件：100.82 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)3A,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleTP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)3A,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •LargecurrentcapacitanceandwideASO •Lowcollectortoemittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1202/2SD1	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1202S-E	文件：215.03 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
2SB1202T-TL-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TP-FA
描述：
TRANS PNP 50V 3A TPFA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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