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2SB1182D

PNP Silicon General Purpose Transistor

FEATURES The 2SB1182DX is designed for medium power amplifier application Low collector saturation voltage: VCE(sat)=-0.5V (Typ.) RoHS Compliant Product

文件:263.59 Kbytes 页数:2 Pages

SECOS

喜可士

2SB1182D

PNP Silicon General Purpose Transistor

Secos

喜可士

2SB1182P

MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)

文件:538.33 Kbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

2SB1182Q

MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)

文件:538.33 Kbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

2SB1182R

MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)

文件:538.33 Kbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

详细参数

  • 型号:

    2SB1182D

  • 制造商:

    SECOS

  • 制造商全称:

    SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

  • 功能描述:

    PNP Silicon General Purpose Transistor

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SeCoS
13+
7758
原装分销
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SECOSGMBH
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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SECOSGMBH
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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SECOSGMBH
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TO-252
1080
全新 发货1-2天
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SECOSGMBH
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N/A
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只做原装,只有原装。
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ROHM/罗姆
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ROHM/罗姆
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ROHM/罗姆
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MCC/美微科
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DPAK
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更多2SB1182D供应商 更新时间2026-10-23 9:00:00