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2SB1184TLQ

Power Transistor (-60V, -3A)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SB1184TLQ

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 3A CPT3

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

2SB1184

PowerTransistor(-60V,-3A)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SB1184

SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

2SB1184

PNPPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1184

TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

2SB1184

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •LowVCE(sat) •Smallandslimpackage •Complementsthe2SD1760/2SD1864 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Powerdissipation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SB1184

PowerTransistor(-60V,-3A)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SB1184

PowerTransistor(-60V,-3A)

●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1760/2SD1864/2SD1762. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SB1184

PNPPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS

Features: *LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.2A)

WEITRON

Weitron Technology

产品属性

  • 产品编号:

    2SB1184TLQ

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    70MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 3A CPT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM
19+
TO252
10543
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ROHM/罗姆
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TO252
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2024
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更多2SB1184TLQ供应商 更新时间2025-7-23 10:21:00