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2SB1180	文件：102.66 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type darlington SiliconPNPepitaxialplanartypedarlington Formedium-speedvoltageswitching Complementaryto2SD1750,2SD1750A ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFE •Itypepackageenablingdirectsolderingoftheradiatingfintotheprintedcircuitboard,etc.ofsmallelectronicequipm	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SB1180A	文件：102.66 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type darlington SiliconPNPepitaxialplanartypedarlington Formedium-speedvoltageswitching Complementaryto2SD1750,2SD1750A ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFE •Itypepackageenablingdirectsolderingoftheradiatingfintotheprintedcircuitboard,etc.ofsmallelectronicequipm	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SB1181	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (??0V, ??A) Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=−80V,IC=−1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1181	文件：80.41 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=−80V,IC=−1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182	文件：93.7 Kbytes Page：4 Pages	Medium power Transistor(-32V, -2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 2A) FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182	文件：39.98 Kbytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor ■Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V ●Complementaryto2SD1758	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1182	文件：1.13367 Mbytes Page：5 Pages	PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS PNPPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS PbLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SB1182	文件：153.4 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (-32V, -2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182	文件：757.83 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1758. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB1182	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (-32V, -2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182	文件：329.06 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •Smallandslimpackage •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Powerdissipation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1182	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Mediumpowertransistor(−32V,−2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.5V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182	文件：176.71 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor FEATURES ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ)(IC/IB=-2A/-0.2A) ●Complementsthe2SD1758 APPLICATIONS ●Epitaxialplanartype. ●PNPsilicontransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SB1182	文件：166.54 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1182isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. FEATURES Highcurrentoutputupto3A Lowsaturationvoltage	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1182	文件：116.67 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complements2SD1758/2SD1862.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Mediumpowertransistor(−32V,−2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.5V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182	文件：1.36409 Mbytes Page：4 Pages	TO-252-2L(4R) Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerDissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB1182	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	Medium power Transistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
2SB118
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Silicon PNP epitaxial planar type darlington

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳鹏芯半导体科技(集团)有限公司	2SB1180A	PANASONIC/松下	19+;17+	TO-252	44000	全新现货	询价
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更多2SB118供应商更新时间2024-4-30 14:00:00

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