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2SB1189	文件：1.91451 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Highbreakdownvoltage Complementsto2SD1767	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SB1189	文件：490.05 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●Highbreakdownvoltage,BVCEO=-80V,andHighCurrent,IC=-0.7A ●Complementaryto2SD1767	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SB1189	文件：188.67 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2SB1189	文件：473.98 Kbytes Page：2 Pages	MediumPowerTransistorPNP	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB1189	文件：1.16843 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1189	文件：179.37 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SB1189	文件：38.76 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-80V,-0.7A) [ROHM] Features 1)Highbreakdownvoltage,BVCEO=-80V,andhighcurrent,IC=-0.7A. 2)Complementsthe2SB1767/2SB1859/2SB1200F. Features 1)Highbreakdownvoltage,BVCEO=80V,andhighcurrent,IC=0.7A. 2)Complementsthe2SB1189/2SB1238/2SB889F.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
2SB1189	文件：69.82 Kbytes Page：3 Pages	Mediumpowertransistor(-80V,-0.7A) Features 1)Highbreakdownvoltage,BVCEO=-80V,andhighcurrent,IC=-0.7A. 2)Complementsthe2SB1767/2SB1859/2SB1200F. Features 1)Highbreakdownvoltage,BVCEO=80V,andhighcurrent,IC=0.7A. 2)Complementsthe2SB1189/2SB1238/2SB889F.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1189	文件：277.27 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SB1189	文件：141.2 Kbytes Page：3 Pages	Mediumpowertransistor(-80V,-0.7A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
2SB1189Q
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SC-62

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更多2SB1189Q供应商更新时间2025-5-30 10:50:00

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