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2SB1182TLR

Medium power transistor (32V,2A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) 2) Complements 2SD1758 / 2SD1862.

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ROHM

罗姆

2SB1182TLR

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 32V 2A CPT3

ROHM

罗姆

2SB1182

MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)

文件:538.33 Kbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

2SB1182

Medium power Transistor(-32V, -2A)

● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F / 2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor

文件:93.7 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SB1182

Medium Power Transistor (32V, 2A)

FTR • FTL Low profile flat-package for limited spece applications. Tape type can be used on automated line. Bulk type is also available.

文件:124.57 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

产品属性

  • 产品编号:

    2SB1182TLR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    800mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS PNP 32V 2A CPT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM
22+
9000
华南区总代
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ROHM/罗姆
2021+
TO-252
9000
原装现货,随时欢迎询价
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ROHM/罗姆
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24+
TO-252
5000
全现原装公司现货
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