2SB1182分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	2SB1182
参数属性	2SB1182 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 32V 2A CPT3
功能描述	Medium power Transistor(-32V, -2A) TRANS PNP 32V 2A CPT3
丝印标识	TL
封装外壳	CPT3 / TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
文件大小	93.7 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	ROHM
中文名称	罗姆
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-1-26 16:20:00
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2SB1182规格书详情

2SB1182属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SB1182晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

● Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = -0.5V (Typ.)

(IC / IB = -2A / -0.2A)

2) Complements the 2SD1766 /

2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F /

2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M.

● Structure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

产品属性

产品编号：
2SB1182TLQ
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，3V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
CPT3
描述：
TRANS PNP 32V 2A CPT3

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