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2SB1181TLP

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 80V 1A CPT3

ROHM

罗姆

2SB1181TLQ

Power Transistor (??0V, ??A)

文件:92.25 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SB1181

Power Transistor

Features 1) High breakdown voltage and high current. BVCEO= −80V, IC=−1A 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements the 2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733.

文件:80.41 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SB1181

Power Transistor (-80V, -1A)

文件:146.69 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SB1181

Power Transistor

文件:39.7 Kbytes 页数:1 Pages

KEXIN

科信电子

产品属性

  • 产品编号:

    2SB1181TLP

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    82 @ 100mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 1A CPT3

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更多2SB1181TLP供应商 更新时间2025-10-30 9:12:00