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2SB1123	文件：114.81 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentSwitchingApplications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1123	文件：58.14 Kbytes Page：2 Pages	High-CurrentSwitchingApplications ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1123	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-CurrentSwitchingApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1123	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSinglePCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1123	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-CurrentSwitchingApplications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1123	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor(??50V,(??2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSinglePCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1123	文件：730.87 Kbytes Page：3 Pages	PNP-SiliconGeneraluseTransistors PNP-SiliconGeneraluseTransistors 1W、1.5A、25V Applications：Canbeusedforswitchingandamplifyinginvarious electricalandelectroniccircuit.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB1123	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SB1123-D	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-CurrentSwitchingApplications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1123-R	文件：1.16269 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1123-R	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SB1123-S	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SB1123-S	文件：1.16269 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1123S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor(??50V,(??2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSinglePCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SB1123T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor(??50V,(??2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSinglePCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1123T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSinglePCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1123-U	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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