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2SC3125	文件：166.18 Kbytes Page：4 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ·Good Linearity of fT APPLICATIONS ·Designed for TV Final Picture IF amplifier applications. 文件：166.18 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3125	文件：35.37 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type 文件：35.37 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3125	文件：1.11326 Mbytes Page：2 Pages	丝印：HH；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：1.11326 Mbytes 页数：2 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
2SC3125	文件：174.93 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV FINAL PICTURE RF AMPLIFIER APPLICATIONS) 文件：174.93 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3125	文件：552.95 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type TV Final Picture IF Amplifier Applications 文件：552.95 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3125	文件：172 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：172 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SC3125	文件：300 bytes Page：1 Pages	贴片晶体管	Nanjing 南晶电子	Nanjing
2SC3125	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23 Bipolar Junction Transistors	LISION 力神	LISION
2SC3125	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极型晶体管	LGE 鲁光电子	LGE
2SC3125_07	文件：552.95 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type TV Final Picture IF Amplifier Applications 文件：552.95 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
NPN
I(BR)CEOMin(V)：
25
IC(A)：
0.05
hFEMin：
20
hFEMax：
200
VCE(V)：
10
VCE(sat)(V)：
0.2
IC(mA)：
15
IB(mA)：
1.5
fTMin(MHz)：
250
PTMMax(W)：
0.15
Package Outlines：
SOT-23

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