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2SB1123	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SB1123	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SB1123	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SB1123	文件：730.87 Kbytes Page：3 Pages	PNP-Silicon General use Transistors PNP-SiliconGeneraluseTransistors 1W、1.5A、25V Applications：Canbeusedforswitchingandamplifyinginvarious electricalandelectroniccircuit.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司
2SB1123	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	PNP Transistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
2SB1123	文件：114.81 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SB1123	文件：58.14 Kbytes Page：2 Pages	High-Current Switching Applications ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SB1123	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SB1123-D	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SB1123-R	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	PNP Transistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
2SB1123-S	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	PNP Transistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
2SB1123S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SB1123S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SB1123-T	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	PNP Transistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
2SB1123T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SB1123T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SB1123-U	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	PNP Transistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SD1623	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
2SB1123_10	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SB1123_15	文件：1.16269 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SB1123-R	文件：1.16269 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司

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晶体管资料

型号：
2SB1123
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1213,2SA1417,2SA1681,2SB1029,2SB1520,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
2
wtest：
0

详细参数

型号：
2SB1123
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
High-Current Switching Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1123供应商更新时间2024-4-27 16:18:00

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