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2SC2712	文件：210.58 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLFIER APPLICATIONS) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) • Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/ hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE = 70~700 • Low noise: NF = 1dB (typ.), 1 文件：210.58 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2712	文件：113.89 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR FEATURES * High Voltage and High Current: VCEO=50V, IC=150mA (Max.) * Excellent hFE Linearity: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) * High hFE * Low Noise 文件：113.89 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC2712	文件：338.66 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Transistors Silicon NPN Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：338.66 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SC2712	文件：173.95 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Low noise： NF=1dB (Typ.),10 dB(Max). ● Complementary to 2SA1162. ● High voltage and high current. ● High hFE linearity. APPLICATIONS ● Audio frequency general purpose amplifier applications. 文件：173.95 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SC2712	文件：738.07 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURE • Low Noise: NF=1 dB (Typ),10dB(MAX) • Complementary to 2SA1162 文件：738.07 Kbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SC2712	文件：210.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • With SOT-23 packaging • High collector-base voltage • High power dissipation • Low saturation voltage • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Power amplifier applications 文件：210.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2712	文件：659.13 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURE • Low Noise: NF=1 dB (Typ),10dB(MAX) • Complementary to 2SA1162 • Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：659.13 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC2712	文件：168.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type Transistor Features ● High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) ● Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/ hFE (IC = 2 mA)= 0.95 (typ.) ● High hFE: hFE = 70 700 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) 文件：168.85 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC2712	文件：188.42 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistor FEATURE • Low Noise: NF=1dB(Typ.), 10db(Max.) • Complements of the 2SA1162 文件：188.42 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC2712	文件：99.97 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRF-AMPLIFIER,LOW LEVEL&LOW NOISE ● Complemen to 2SA1037 ● Collector-current:Ic=100mA ● Collector-Emiller Voltage:VCE=45V ● High Totalpower Dissipation Pc=225mW ● High life And Good Linearity 文件：99.97 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

晶体管资料

型号：
2SC2712
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC846,BCV71,BCV72,2SC3323,2SC3340,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
0.15
wtest：
0

技术参数

Polarity：
NPN
VCEO(Max)(V)：
50
IC(Max)(A)：
0.15
hFE(Min)：
70
hFE(Max)：
700
VCE(sat)(Max)(V)：
0.25
ComplementaryProduct：
2SA1162
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-346 (S-Mini)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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更多2SC2712供应商更新时间2026-4-17 11:23:00

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