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2SB1101	文件：404.43 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1601,2SD1602 Application Low frequency power amplifier 文件：404.43 Kbytes 页数：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1101	文件：130.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1601 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications 文件：130.19 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1101	文件：162.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1601 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications 文件：162.43 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1101	文件：186.89 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo= -60V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -2A) • Complement to Type 2SD1601 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：186.89 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1101	文件：99.14 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1601 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications 文件：99.14 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1101	文件：100.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：100.76 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1101	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Application\nLow frequency power amplifier	HITACHI 日立	HITACHI
2SB1101_15	文件：162.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：162.43 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1101_2014	文件：162.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：162.43 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SB1101
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD716,BD718,BDW54A,BDW54B,BDW54C,BDW54D,BDW64B,BDW64C,BDW64D,2SB676,2SB880,2SB950,2SB1341,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
4
wtest：
40

详细参数

型号：
2SB1101
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
Silicon PNP Power Transistors

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更多2SB1101供应商更新时间2026-4-17 16:01:00

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