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2SB1175	文件：95.08 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type For voltage switching Complementary to 2SD1745 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Large collector current IC • I type package enabling direct soldering of the radiating fin to the print 文件：95.08 Kbytes 页数：4 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB1175	文件：39.77 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Type Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. • Large collector current IC. 文件：39.77 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1175	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification	Panasonic 松下	Panasonic
2SB1175_15	文件：1.24787 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.24787 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
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2SB1175-Q	文件：1.24787 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.24787 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SB1175
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
130V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
130
htest：
30000000
atest：
4
wtest：
15

详细参数

型号：
2SB1175
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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