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2SB1201	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Bipolar Transistor (–)50V, (–)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801- 文件：388.23 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1201	文件：123.84 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · Large current capacity and wide ASO. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Fast switching speed. · Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801-used sets smaller. Applications · Voltage regulators, relay drivers, lam 文件：123.84 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1201	文件：252.08 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Large current capacitance and wide ASO • Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801-used set smaller • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and 文件：252.08 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1201	文件：359.46 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.7V(Max)@IC= -1A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications 文件：359.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1201	文件：327.4 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.7V(Max)@IC= -1A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications 文件：327.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1201	文件：47.23 Kbytes Page：2 Pages	High-Current Switching Applications ■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Fast switching speed. ● Large current capacity and wide ASO. ● Complementary to 2SD1801 文件：47.23 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1201-251	文件：359.46 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.7V(Max)@IC= -1A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications 文件：359.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1201-252	文件：327.4 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.7V(Max)@IC= -1A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications 文件：327.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1201S-E	文件：347.77 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.4V(Max)@IC= -1A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications 文件：347.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1201S-E	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Bipolar Transistor (–)50V, (–)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801- 文件：388.23 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SB1216
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1647,2SB930A,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
120
htest：
130000000
atest：
4
wtest：
20

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
4
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
120
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.9
hFE Min：
140
hFE Max：
280
fT Min (MHz)：
130
PTM Max (W)：
1
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	2SB1216	NK/南科功率	2025+	TO-252	2500	国产南科平替供应大量	询价
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