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2SB1201	文件：359.46 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.7V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1201	文件：327.4 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.7V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1201	文件：252.08 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •LargecurrentcapacitanceandwideASO •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-usedsetsmaller •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceand	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1201	文件：47.23 Kbytes Page：2 Pages	High-Current Switching Applications ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●Fastswitchingspeed. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Complementaryto2SD1801	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1201	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •LargecurrentcapacitanceandwideASO •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1201	文件：123.84 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications Features ·AdoptionofFBET,MBITprocesses. ·LargecurrentcapacityandwideASO. ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ·Fastswitchingspeed. ·Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-usedsetssmaller. Applications ·Voltageregulators,relaydrivers,lam	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SB1201-251	文件：359.46 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.7V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1201-252	文件：327.4 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.7V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1201S-E	文件：347.77 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.4V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1201S-E	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •LargecurrentcapacitanceandwideASO •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-80.0
Collector current Io(Ic) [A]：
-1.0
hFE：
120 to 390
hFE (Min.)：
120
hFE (Max.)：
390
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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